op 2024/06/24 428

Den Usproch Eegeschafte vun der PN Kräizunge exploréieren

D'Entwécklung vun de Minneimizéierung ass eng stëmmt Roll an der Partnoler-Eleconist, haaptsächlech beaflosst, gréisstendeels an den P-N Portioun.Dësen Artikel gëtt déi opfristeg Prinzipien an d'Uwendte vu PC-n JuniCradection se mat der technologescher Ingenreiitéit vun de Kougeschbidder vum Kuerschong.Am Ufank expresséiert et de Kristaller Radio, en clever Apparat dat ouni extern Kraaft funktionéiert, déi semeschonddiven Natur vu Galena benotzt (Leulfide).E Betrag vun engem ass méi detailléierter Ëkonuminatioun aus der P-E-n5er Element an haut de elektronesch Apparater, haaptsächlech e elektronesche Wee fir als Écran fräiwes maachen.

D'Analyse vu Forward a reglichebüden a regl och iwwer den Artikel bewisen, huet enzichtegen wéi dës Performratraue vum Zougang zu engem elektronesche fonnte Gemengeauen ze managen.Ausserdeem ass et erklarakter d'P-n d'Prozisatioun vun verschiddene Konditiounen a Rolden, inklusiv déi zousätzlech Dioden an Ofstoden a Riednisser.Déi grauscht Revisioun net nëmmen déi kierperlech an elektronesche Maache vu PhGen a goufe Betiounlechkeet a Spannungsliwwerung a Spannung a Spann.

Calalog

Bild 1: Cyststal Radio

De Crystal Radio exploréieren

De Kristall Radio, e fréie Marvel vun der Radio Technologie, natierlechen Hallefaktoren wéi Galleena (féieren sulfide) fir ouni extern Kraaftquell ze schaffen ouni extern Kraaftquell.Galiena, mat senger grousserstkafstruktur Struktur, ass e bal Beispill vun dechtnte Gewënner wéinst hirer Naturstitutioun fir Dioden ze versichten.

Dem Galesa seng seschianduesentVergiesse Kau tëscht dem Diffräl a de Kuerzedäffe, komesch, fir e klengen Impronomen, ze séier fuere, akzeptéieren ech an d'Rechtquatzept.Dëse Mechanismus huet de Cristal Radio Detektor aktivéiert fir ofwäichen déi aktuell (AC) aus dem Antenne an der USBEL-ITC ze konvertéieren (DC).Méi prominent, et ofgefälcht Amplitude-moduléiert (AM) Signaler, Extraiten vun der Radiowellen.

An engem Cristal Radio, d'Antenne erfaasst Radio Frequenz Signaler a leet se un en Tuning Coil fir déi gewënschte Frequenz ze wielen.De gewielte Signal, dann trefft de Gallena Detektor.Hei, Ofsätzung geschitt, konvertéieren ac an e moduléiert DC Signal.Dëst Signal gëtt dann an e Headset oder Spriecher geschéckt, wou den Audio Modulation sech hörbar gëtt, déi Signal Iwwersetzung fäerdeg ass.

Bild 2: P-n rezent Junction

Verständnis de P-n rezent Kräizung

D'P-N-Nenter ass medëlleg un modernen Elektronik, déi haaptsächlech als Reduktiounssäck fonctionnéiert.Et erlaabt aktuell an enger Richtung ze fléien, wat gebraucht gëtt fir ofhängeg vun der aktueller aktueller (AC) fir direkt aktuell (DC) ze konvertéieren.

Struktur a Funktioun

D'P-n Kräizung besteet aus P-Typ an n-Typ Semikondiktoraterial.De P-Typ huet en Iwwerschoss vu Lächer, wärend den N-Typ en Iwwerschoss vun Elektron huet.Wou dës Produkter treffen, eng Ofschlossformformen, eng agebauter Schwéierer Barriär erënnert déi de fräie Stroumaltapiere tëscht de Regioune verhënnert.

Wann eng positiv Iwwersetzer op der Pis-Säit relativ zu der N-Säit applizéiert gëtt (no vir-virgeschriwwene Bias), d'Potenzialräre, erlaabt den aktuelle per Zumpunkt einfach iwwer de Wand ze fléien.Wann eng negativ Spannung ugewannt gëtt (Reverse Bias), d'Barriär huet opgehuewe, deen den aktuelle Fliger op den Ausgiele klickt.Dës selektiv Rendungsbarkeet ass wat erlaabt d'Diodien erzielen fir en AC an DC ze konvertéieren.

De P-N Kräizung Diode ass strategesch am Circuit plazéiert fir mat der virgesinn Richtung vum aktuelle Floss ze alignéieren.Eng Ac Spranéit gëtt duerno zur Kierchen applizéiert.Wärend all Mataarbechter, d'Diode Funktiounen duerch entweder blockéieren oder erlaben aktuell duerch ze passéieren.Dëse Plang, deen an der Dioding Onerdréck vun den DIDPEFFEPTATE ofhängeg hänkt, Bezuelem vun den Arigymymannendsäiten ofmitiséieren.Fir dëst pulséierend DC an eng méi stabil a konsequent DC Volonth, Komponenten wéi Kapazitéitsgrenzen ze transforméieren.

Figur 3: p-n Kräizung mat ëmgedréite Bias

Analyséieren de P-n Kräizung ënner ëmgedréinter Bias

Reverse Liebling A P-N Kräizung implizéiert den negativen Terminal vun enger DC Batterie an de P-Typ Semiconductoror an den N-Typ S-Typ S-S-S-SE-S-SE-S-SE-SYTEMIFFUCHEN.Dës Konfiguratioun verbessert den elektresche Feld iwwer de Kräizung, dréckt d'Majoritéit vun der Majoritéit-Lächer am P-Typ an Elektronen an der N-Typ vun der Kräizung.Dës Migratioun erhéicht d'Breet vun der Erklärungszon, e Beräich ongëlteg Trägere Carrièren, effektiv déi Barriär, déi d'Rezeuvertrage verflichten.

An dësem Zoustand ass de Floss vum aktuellen iwwer d'Kräizung minimal an haaptsächlech Resultater vun der thermronescher generéiert Elektron-Lachs Paarte am Semikofurctor Material.Wann am Géigendeel Bijouen, Minoritéitsrässer, sou wéi Lächer an den N-Typ an Elektronen an der Phart, an der Spuer, andreptions, andéifst MuechtDëst aktuellt liicht erhéicht mat Temperaturer wéi méi Charenerdere sinn generéiert, awer huet et zu enger weiderer Biy viderage "dat erkläert.

Duerch engpper Boou entschëllegt d'Bioperéit ass d'potenziell Barrière op der Kräizung verginn, déi vinatoresch d'Barto (V0 + VM de Appetage.Dës méi héijer Barriär drastesch reduzéiert d'Diffusioun Stroum vun der Majoritéit Träger, bal op engem ëmgedréinter Bias vun ongeféier engem Volt, deen nëmmen duerch eng rechtzäiteg aktiv gëtt,Dëst resultéiert an engem héijen Junction Resistenz, provozéierend d'Dynamik fir d'Uwendungen wéi Sprosservuléierung a Signal Modulatioun, wou d'Kräizung vun der Junctiouns am aktuelle Flow sech aktuellD'Empfindlechkeet vun der ëmgedréit Saturnatrimosphärë fir Temperatur Variatiounen, déi och d'Kräizung fir d'Kräizung ze funktionéieren als eng Basis Sensor, Iwwerbenoriichten Ännerungen fir Temperaturen Uwendungen.

Figur 4: p-n Kräizung mat Forward Bias

Den P-n Kräizung ënner Forward Bias z'ënnersichen

An engem Forward piaséiert P-n Kräizung, den DC Batterie ass positiv Terminal verbënnt mam P-Typ SEPTIMTT, an déi negativ Terminal verbënnt mat dem n-Typ Sender.Dëse Setup mécht d'P-Typ Säit méi positiv am Verglach zum n-Typ Säit.Ënnert dëse Bedéngungen, d'Majoritéit vun de Bandareieren (Lächer an der P-Typ an Elektronen an der N-Typ) gi Richtung d'Kräizung gefuer.

Den elektresche Feld huet duerch d'Batterie erstallt duerch d'Majoritéit vun der Majoritéit vun de jeeweilege Terminaler an Richtung d'Kräizung.Wéi dës Trären sech zréck beweegen an an der Alvilie konvergéieren, si recombinéieren.Dës Recombinatioun fällt bedeitend d'Breet vun der der Oflehnungsstand, erliewen e méi staarke Flux Orierziente iwwer de Kräiz.

Déi ugewandt Spannung VR leet d'Potenziell Energiekarrier.Normalerweis, dës Barriär verhënnert datt gratis Trägerflow, awer déi Forward Vältage reduzéiert d'Barriär op VR_{0 Boneier}-VR₁ wou !!! VR_{0 Boneier} ass déi agebauter Potenzial vun der Kräizung.Huet d'Randrieren Héicht erlaabt méi Elektronen a Lächer ze diffuséieren.

Senken d'Barriär Héichtresultater an enger wesentlecher Erhéijung vun der Diffusiouns-Stroum (Ech_d ) wat de Flux vun de Kongere vum Floss ass, déi vun der reduzéierter Barrière ugedriwwen huet.Dëse fllo ass di Richtung an an an enger Richtung, mat d'Majoritéit vu Gewäliäumeffe bis duerch d'Kräizer spillt.Déi aktuell an dësem Forward-bieferte Staat ass däitlech méi héich wéi déi ëmgedréint Sättigung aktuell (Ech_s) Ënner reverse Bias observéiert.

U Onsinn vun Investatioune se fir d'P - N-enkressiv konstant vu Batternofschoss.Dëst ass nëtzlech fir Apparater wéi Diodaden an Transisteren, wou kontrolléiert aktuelle Flow ass e Must.De Forward piased P-n Kräizgangsakt fir en héije Diffusioun ze ënnerstëtzen, mécht et eng onsécher Komponent a verschiddene elektroneschen Uwendungen, aus der Oflehnung fir Signifizéierung fir Signifizéierung fir Signifizéierung fir d'Ridtalvertififizéierung.

Figur 5: Junction Prevodown

De Breakdown Phenomena a P-n Kräizungen

Junction Preveldown an enger P-N Kräizprëps geschitt wann de ëmgedréinte Spannung iwwer d'Juncture iwwer d'Junction iwwerschratt ass wéi eng spezifesch Schwellung, bekannt als déi Oflehnungspannung (VR_Br) oder hallef Voltage (VR_Z).Dëse Phänomen huet Resultater an enger dramatescher Erhéijung vum ëmgedréinter aktuell ouni e wichtegsten Opstig vu Spannung.Apparater wéi Zeren Diode déi dës Charakteristik fir Spannreguléierung entdecken, messéiert vum Event ouni Schied.

An engem ëmgedréite piased p-n Kräizung, eng kleng aktuell genannte Réckfätscher aktuellerEch_s) Fléisst wéinst thermesch generéierter Carrièren.Als zréckgeet Spannung erop, d'potenziell Barrière op der Kräizung eropgeet, dauert d'Diffusiounsinstruktiounen (Ech_d) bis et effektiv null gëtt.Dëst léisst nëmmen (Ech_s) fir den aktuelle Flow z'erhalen.

Erhéijung vun ëmgedréinte Spannung an Erléisung Regioun

Sou wéi déi zréckgezunn Spannung geet weider ze erhéijen, d'Arplementsregioun.Wann d'Spannung bei der Kräizung erreechtVR_BroderVR_Z, den Elektrescht Feld an der Erléisung gëtt intensiv genuch fir Junctiounsverband ze initiéieren.Dëst Preakdown geschitt duerch entweder den Zeinereffekt oder de geliwwerten Effekt, deen an enger bedeitender Erhéijung vun der aktueller Erhéijung resultéiert gëtt.

Den Em Commetitioun: Den Zerer Effekt ass dominant op nidderegen Ofdreiwungsbunnen, typesch ënner 5v zu Silicon.Et implizéiert d'Quant Mechanesch Tunnel vun Elektronen iwwer d'Matlängerregioun.Deen intensiven elektresche Feld an der Erléisungsschicht ass staark genuch fir Elektronen aus hire atomarglellen ze streiden, Elektron-Lach Pairen.Dës Tourrreië ginn dann duerch d'Kräisch duerch de Beräich duerch d'Rubript erwollt, wesentlech aktuell aktuell.

Avalanche Effekt: Op méi héije Spannungen, meeschtens iwwer 7V, d'Avalanche Effekt huet predominéiert.Minoritéit Carrière (Elektronen an der P-Typ Regioun a Lächer an der N-Typ Regioun) Ginn kinetesch Energie aus dem elektresche Feld wéi se d'Ernächen duerch d'Arplacke sinn.Wann dës Träquie eng grouss Energie kréien, kënne si gëllen fir Laass Econeten ze befreien datt eng gleinte elektronesch Elektron-Hënstere kollaboréieren mécht.Dëst Secteur vu Pararièren kënne bis weider Kollisiounen féieren, eng kammend Reaktioun - en ugersaltegeme sinn dozou.

D'Fäegkeet vum Kräizgang fir z'erhiewen ouni Schued ze halen ouni Schued ofhängeg vun der effektiver Thermal Gestioun an de robusts vu senger kierperlecher an elektronescher Struktur.De spezifesche Stormdown Mechanismus - ob Zerein oder Avalanche hänkt - hänkt vun der materieller Partie Eegeschafte vum Semikallander, wéi Bandwnsniveauen wéi d'Temier.

De Prozess vun der Reiktizéierung erkläert

De Reklammsprozess an engem P-n Kräizung hänkt op seng net-linear, oder net-ohmesche, Verhalen.Dat evident war déi Südstéiere gemeinsam, wat iwwer d'Kräizung vu Spannungen op d'Spromaritéit op Spannung bitt: d'Spannungsrot bitt.Dës Asymmetrie ass gebraucht fir rezent Geräter.

Verhalen vum Verhalen

Wann eng sënnegt Input Spannung mat enger AmplitudeVR_{0 Boneier} gëtt op eng P-N Kräizung ugewannt, gëtt d'Äntwert op der charakteristescher Krobe gewisen.Den Output aktuell Oscillates tëscht Ech₁(wärend Forward Bias) an -Ech₂ (wärend reverse Bias).De Schlësselpunkt ass datEch₁ (Forward aktuell) ass vill méi grouss wéi -Ech₂ (Reverse aktuelle).Dësen Ënnerscheed an der aktueller Gréisst tëscht vir an ëmgedréinter Biosen erméiglecht Reklammen.

No vir an ëmgedréint Bias Effekter

Ënner Forward Bias, de P-n Kräizung erlaabt e groussen Stroum (Ech_d) ze fléien well de Forward Voltage d'potenziell Barrière reduzéiert.Dës Reduktioun huet dermatmais Career (Elektronen a Lächer) fir fräi iwwer d'Kräizung ze beweegen, wesentleche Stroum.An ëmgedréinter Bias, déi potenziell Barrière eropgeet, schwéier de Flow of Carrièren beschränken an dofir déi aktuell.Déi aktuell während Reverse Bias (Ech_s) ass minimal am Verglach zum Forward Bias aktuell.

Konversioun vun AC op DC

Dëst Verhalen-erlaabt bedeitendst aktuell an enger Richtung ze beschränken, wärend et an deem aneren effektiv beaflosst, déi den aktuellen (AC) Input an der direkter aktuell (DC) Output.D'Rektifizéierungsprozess hänkt vun der p-n Kräizung vun der SYMMTRÄISCH RESPIVITÉIT ACHT AN Äntwert op ofwiesselnd Spannung.Dëst mécht et e bedeitenleche Komponent am Stroum Ëmfeld a Signal Modulation Applikatioune, wou Unidirektioun aktuelle Stroumflow ass e Must.

Roll vun der P-n rectionéiere Junction Technologie an der Rectifiers

Eng p-n Kräizung, néideg fir Diögen, erlaabt et aktuell an eng Richtung ze fléien wéinst hiren eenzegaartegen Ofbau vun engem verschiddenen elektresche Bänn.

Ëmgedréinte Bias, konnektéieren d'Batterie negativ Terminal an der P-Typ Säit an dem positiven Terminal an der N-Typ Säit.Dëse Setup erhéicht d'Kräizung vun der Junction-a Potenzial, déi der Oflehnungszon ausgeliwwert gëtt an d'Diffusioun aktualiséieren.Den Driftinformatioun, bleift awer net beaflosst, entstinn bal eng kleng ëmgedréint Sättigung vun der aktuellerEch_d).Déi erweiderter Ofleenungszon ënner reverse Bias handelt als Barrière, de Fluxkompetär ze beschränken an eliminéiert minimal aktuell ze kréien.

Bei Forward Bias, konnektéieren d'Batterie seng positiv Terminal op d'P-Typ Säit an den negativen Terminal op der N-Typ Säit.Dës Säit entstéiert d'Potenzial Barrius op der Jursär, sech un d'Jorriichtung ze verkleeden.Déi féierenurarréierung Héichtouren erlaabt méi Majoritéit Carrière (Elektrier an der N-Typ a Lächer dobannen)Ech_d).An dëser Konfiguratioun, d'Driftinformatioun vun der Minoritéitsgräisser bleift vill net beaflosst.D'Verdeelung vun der Oflehnung Zone ënner Forward Bias verbessert d'Verwaltungsverbrauchung, erlaabt e wesentleche Stroum vum Diffusioun aktuell, wat ass de primäre Stroum an dësem Modus.

Wann ënnerléist fir héich ëmgedréint vun den Hënner e puer honnert Volts, déi p-n Kräizung kann extrem Konditioune festhalen.Ënnert esou Spannungen, déi intensiv Elektrohëllef uechter d'Oflehnung Zone kann bedeitend Zuel vun Elektron-Lach Paarte generéieren, potenziell op eng schaarf Erhéijung vun der Stad.Dëse Staat gëtt allgemeng am Standard semiconductor Diode verhënnert wéinst dem Risiko vum permanente Schued.Wéi och ëmmer Ziudes gehiem mer Friten op Zukunft nach verbreet Regioun fir Iwwerwaachunge wéi Spueren Reglementer.

D'Resistenzhandlance Séi ze vanterame variéiert mat der Magnitude an Politär vun der ugewandlannter Spannungen.Dës Variatioun erlaabt e preferrential aktuelle Flow an der Forward Richtung wann se an ëmgedréint blockéieren.Dës REALIAL ORDERS Flow ënnersträicht d'Demande vun de verschiddenen elektiven elektronesche Kukfiguren, vu Stroumverbrauchsystemer.

Uwendungen vu P-n Kräizung Diode wéi Rektifiers

De P-N Kräizgang Diode vun der Inherentfäegkeet fir de Stroum ze erlaben an eng Richtung ze fléien mécht et en effektive Rechtschreifent, Ëmwandlung vun den aktuellen (AC) an direkt aktuelle (DC).Déi einfachst Form vun sou engem Apparat ass d'Hallefwelle-Viraussetzungen.

Figur 6: hallefwelle Rektifikatiounsprozess

An engem halwer Vitessientifier Circuit, d'Diode Funktiounen während dem AC Input Signal an negativen Hallefzyklen.Dëse Setup enthält typesch en Transformator mat engem sekundäre Kilometer, déi eng elektromotiv Kraaft induzéiert (EMF) duerch géigesäiteg Induktioun mat der primärer Dichtung.D'Polaritéit vun den induzéierten EMF ännert sech mam Tor Zyklus.

Figur 7: positiv Hallefzyklus

Den ieweschten Enn vun der sekundärer Koppel gëtt positiv op den ënneschte Enn reprochéiert, wat fir d'P-n Kräizungsinterie weidergeet.Dës Biasing erlaabt aktuell duerch d'Last Resistenz (RL).Wéi déi aktuell Flucht, eng Spannung observéiert gëtt iwwer RL ze observéiert, entspriechend zum positiven Hallefzyklus vum Ac Input.

Figur 8: negativ Hallefzyklus

Wann d'Polaritéit vun den induzéierter Emprise reverse gëtt, gëtt den ieweschten Enn negativ an den ënneschten Enn positiv.Dës Reverse bezeechent den Diode, effektiv den aktuellen Floss duerch et ze blockéieren.Als Resultat kritt d'Ausgabe no op d'Laaschtvertriung wärend där halt-Zyklus eng Kéier.

Charakteristiken an Ausgang vum Hallefwelle-Viraussetzungen

D'Half-Welle Rektifizéierungsvertier konvertéiert nëmmen déi positiver Hallefzyklen vum AC Input an e pulséierend DC Output.Dës Ausgang enthält AC Komponenten an ass iergendwéi mat nidderegen Effizienz am Verglach zum Vollwelle recctifiers.Déi pulséierend Natur vum Ausgang kann quantifizéiert ginn andeems Dir de mëttleren Last aktuell berechent ginn.Multiplizéieren dëst aktuell mat der Lasting Resistenz (rlr_lrl) gëtt d'Moyenne Ausgab DC Spannung.

D'Haaptnächen vun der Half-Welle vun den halwerfërmeg sinn seng Ineffizienz an déi diskontininous Natur vum Ausgang.Weider filteren oder glätteg kann néideg sinn fir eng stänneg DC Versuergung ze erreechen.De Rentifier seng Leeschtung an d'Intefizienz ass vun den Dodiefer beaflosst, sou wéi säi Forward Spannungsdréck an ëmgedréinte Leckage aktuell.Zousätzlech ass den Design vum Bau vun der Luonstantioun si wichteg am Optimedett vun der Zäit optimiséieren.

Conclusioun

Dësen Untersuchung vun der P-N Kräizung Highlights béid déi breet Palette vun den zäitgenësser Elektronien a seng Schlësselroll an der Entwécklung vun der Entwécklung vun der Entwécklung vun der Entwécklung.Aus der Basis Operatioun vun engem Kristaller Radio op déi raffinéiert Mechanisomen vu Junctiondroung an d'Rektifizéierung, d'P-N Kräizung, déi an elektresch Komplott an engem ultem-Noptaliséierung an elektresch Komponisten an engem uliven Zonktiouns-Déi detailléiert Ënnersichung vu béide Forward an ëmgedréinte Bias Operatiounen illustréiert d'Kräizung vum Kräizgangs fir aner elektresch Stress an Ëmweltschlag an Ëmweltbedéngungen unzepassen.Déi praktesch Apparatiounen vun der P-N-Nenter, wéi an engem Engagements bewisen an d'Velefäll Registréierer bewäerten, huet seng sérieux Funktioun an der Erzienz vun der Effizienz an Zouverlässegkeet vun elektresche AppleDankbar fir englesch Inhononce net nëmmen déi wesentleche Expouisatiounen vun de elektresche Prinzipiengetrinze courages sech mat awer als gewisen datt se hir fonctionnéiert Technologie fir den Infriercatioun vum Educatiounsquête vum Elicenatiounen an den Géigner gewisen.

FROEN FROCESS [FAQ]

1. Wéi gëtt eng PN Kräizung als Rektifier benotzt?

Eng pn Kräizung Formen wann P-Typ an N-Typ Semikonductoriktiounsziler sinn.Dëst Kräizung natierlech kreéiert eng Erléiser Regioun déi sech wéi eng Barriär handelt, erlaabt aktuell méi einfach an enger Richtung ze fléissen wéi deen aneren.Wann Ac Spannung op eng pn Kräizung ugewannt gëtt, während dem positiven Hallefkompyklus, de Virsuch erlaabt de Prognosen erlaabt den aktuellen ze passéieren (Forward), an wärend der negativer Hallefgrad).Dës selektiv Ofbauresultater am Ausgang ass haaptsächlech an enger Richtung, effektiv effektiv zu DC konvertéiert.

2. Wat ass de gemeinsame Zweck vun engem rectifier pn Kräizung?

Den primäre Zweck vun engem Rektifier pn Kräizung ass e stännegen DC Output vun engem Ac Input ze produzéieren.An dat ass dat néideg fir déi elektronesch Crampf accord ze garantéieren datt DC fir ënnerletzbar Operatioun erfuerderen.Ofstands ginn de Wiel vun de Stroumliwwerspunkten fir all méiglecher elektronesch an elektresche Geräter, aus klenge Gadgeten zu groussen Industriegine.

3. Wat ass déi rectifizéierung Uwendung vum PN Kräizung Diode?

De PN Junction Diode gëtt speziell entworf fir de rectifizéierend Verhalen vun der PN Kräiz ze exploitéieren.Et gëtt wäit a Circunkt als Rektifier benotzt fir dës Schlësselfunktioun vun AC un der DC Konversioun ze maachen.A praktesch Konditioune gëtt dës Dögen a Kaleuren an de Batterien fonnt, an Fäegkeete wou Tele vun enger Veraktladress an ausgeschloss sinn, sou wéi Telefisoffer Elektraktioun an autometal Systemer.

4. Wat ass de PN Junction benotzt fir?

Neen Direktifikatioun, pann ginn penktioune ginn a verschidden aner Appliatioun an eng Signal Modulatioun, Spannung Reglis) fir Hüden (Loden) fir Nidderalossen)D'Recht verfollegen awer déi meescht bedeitend an breetsten Geruff avernrecker D kleng Autoritéit, an der duerchfälleg DC Stroum.

5. Wéi funktionéiert en Diode als e Rechtschlag?

En Dide, déi aus engem Pn Kräizung besteet, handelt als eng Reduktioun andeems en elektresche Stroum an engem Richtung liicht an enger Richtung fléisst wéi an der ëmgedréit Richtung.Déi leeën testängen vun der PN20trumenter, haaptsächlech déi eng Ekléien fonktionnéieren, déi ideal sin fir ze vergiessen. Ër geet direkt den negativen Deel vun hënneschten Aoff un ze goen.Dëse Selektiven Passage vun aktuellen Resultater am Ausgang ass en ongebiltene Flux vun Elektronen oder DC.