op 2024/11/14 61

Alles iwwer den IRF530 Mosfet

D'Ir530, ​​e Robub Wiesselung a Kraaftwëssensattacker.Provliitéiert fir Applicatiounen wéi Kraaftkomplizéiert Luxusen, a Spaltung vun der Spidol Entloossung, wat de ISM530 Verlaf verliuscht, déi IFOW530 mattimiséieren, wéi d'Immatial Stress an ass, wat elltrutéieren.Dësen Artikel géing an der irf530 of, Prioritéit, Priizatioune, technesch Virdeeler, an Ären Uwendungen ze sichen.

Calalog

IRF530 INVEBAVE

The Irf530, e Staat-vun-der-Art N-Channel Mosfet, Garner Opmierksamkeet an haut Elektroniséierung vun der aktueller Landschaft vun der Optimiten vun der Optriedung vun der Optriedungsprozess.Dëst Attributer verbessert seng Geschécklechkeet als primär Schalter a raffinéiert Héichschoul isoléiert DC-DC Converters.Mat enger mariitärer Hëllef ass an der Produitic Rotemach, Telcom, an auszeegbars Konsequenz lën, an de Wyzef00 ze starten.

Harnessing eng Legacy vun der Fortschrëtter an der Semikondorstrusologie, d'Irf530 bitt eng zouverléisseg Optioun fir Eenzelen aspréierende Performance fir d'Performance ze briechen.Et excstalléiert am Curbing Kraaftverloscht duerch superior Schalterfäegkeeten, déi d'Nasten integréiert d'Liewensviritéit a Stabilitéit integréieren.

Den IRF530 ass mentdesch präzistesch Design Spezifikatioune goen, onrassung Zesummenaarbecht mat enttäuschter Energien Effersmierksamkeetsfinanzen an Auswäertung.Hei kënnt Dir seng Kapazitéit polonesch a konsequent overy ze liesen, och an Higappgzäit.Dëst gëtt Major an Datenzentren, wou stänneg e Gläichgewiicht an der DiMIMID Gestioun psable Erausfuerderung stellt.

Päiz konfiguréieren

CAD Modell

Symbol

Foussofdréck

3D Visualiséierung

FONTassementer

D'Feature	Spezifizéierung
Iwwerweisungen	N Kanal
Packageaart	2 220ab an aner Packagen
Max Spannung ugewannt (Drain-Quell)	100. VR
Max Gate-Quell Spannung	± 20 VR
Max kontinuéierlech Drain aktuell	14 A
Max Puls Drain Stroum	56 A
Max Kraaft Dissipatioun	79 W WANN
Mindestrennung fir ze féieren	2 v op 4 v
Max On-Staat Resistenz (Drain-Quell)	0,16 Ω Wot
Späicheren & Betrib Temperatur	-55 ° C op + 175 ° C

Virdeeler fir den IRF530 ze bewerben

Paramesnéiergank	Broessdatsch
Typesch Rds (op)	0,115 Ω Wot
Dynamesch DV / DT Bewäertung	Jo
Avalanche robust Technologie	Beroultegen Haltbarkeet an héije Stress Konditiounen
100% Avalanche getest	Voll voll getest fir Zouverlässegkeet
Niddereg Gate charge	Erfuer ginn minimal Drive Kraaft
Héich aktuell Kapazitéit	Geisser Fir héich aktuell Uwendungen
Betribsortemperatur	175 ° C maximal
Séier Wiessel	Schnéier Äntwert op effizient Operatioun
Einfache vum Parallel	Vereinfacht design mat parallel Mosfets
Einfacht Drive Ufuerderunge	RefBut Komplexitéit an Drive Circuitrie

Technesch Spezifikatioune

Tipps	Paramesnéiergank
Mont	Duerchduerch ass duerch Lollong
Montéieren Tipps	Duerchduerch ass duerch Lollong
Package protegéieren / Falls	2 220-3
Transistor Element Material	Silicon
Alsstaugewd - Kontinuéierlech Drain (ID) @ 25 ℃	14a Tcc
Fuere Spannung (Max RDS op, min RDS op)	10V
Zuel virweis vun Elementer	1
Kraaftbeldscht DISTIPATIOUN (Max)	60w Tcc
Natierlech Aus Verspéidung Zäit	32 NS
Aktivitéitsaarbecht Zäitperei	-55 ° C ~ 175 ° C Tj
Verpackungen	Tubédominie
Serie	Stripfet ™ Ni
Jwd-609 CODE CODEN	EXT EX
Du props Status	OBSOOLE
Fiichtegkeet Sensibilitéitsniveau (MSL)	1 (Onlimitéiert)
Zuel virweis vun den Terminatiounen	3.
ECCN CODE CODEN	Ouer99
Terminal Fitzeg	Méiacht Tin (sn)
Stroumspannung - bewäert DC	100V
Dësches Remboursement Temperatur (CEL)	Nganem Spezifizéiert
Erreechen Konformitéitscode	net_beclastant
Alsstaugewd Bewäertung	14a
Zäit @ Peak Reflow Temperatur - Max (en)	Nganem Spezifizéiert
Basebium Deelnummer	Irf5
Pin Ziel	3.
Jwd-30 CODE CODEN	R-psfm-t3
Quürfifferung Status	Nganem Qualifizéiert
Elements Konfiguratioun	Single
Aktivitéitsaarbecht Modus	Ënnertéierung Modus
Kraaftbeldscht Dessitung	60w
Fahrt Tipps	N-Kanal
Transistor D'Applikatioun	Ofarden
RDS Op (maximal) @ ID, vgs	160mω @ 7a, 10v
Vgs (th) (Max) @ ID	4v @ 250μμa
Input Takeititance (Ciss) (Max) @ VDS	458pf @ 25v
Giel Charge (qg) (maximal) @ vgs	21nc @ 10v
Opgeruff Zäit	25onnen
Vgs (Max)	± 20V
Falen Zäit (Typ)	8 n
Kontinuéierlech Draining Stroum (ID)	14a
Jedec-95 CODE CODEN	2 220ab
Giel op Quellspannung (vgs)	20V
Verréckelen zu Quell-borddown Voltage	100V
Gefouert. Drain aktuell - Max (IDM)	56a
Avalanche Energie Bewäertung (East)	70 mj
Rohs Status	Net-rohs Erlaënner
Loaz Steed Gratis	Enthält Loaz Steed

Alternativen op den IRF530

Deelnummer	Broessdatsch	Hiersteller
Irf530f	Kraaftbeldscht Feld-Effekt Iwwersetzer, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Kanal, Silicon, Metall-oxide semiconduktor Fet, bis 220ab	International Rechtterweis
Irf530	Kraaftbeldscht Feld-Effekt Transistor, N-Kanal, Metall-Oxid Semicondorist Fet	Thomson Konsument Elektronik
Irf530pbf	Kraaftbeldscht Feld-Effekt Iwwersetzer, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Kanal, Silicon, Metall-oxide semiconduktor Fet, bis 220ab	International Rechtterweis
Irf530pbf	Kraaftbeldscht Feld-Effekt Transistor, 14a (ID), 100V, 0,16ohm, 1-Element, n-Kanal, Silicon, Metall-oxide semiconductor Fet, op-220ab, Rohs konform Packy 3	Vishay Intertchnologies
Sihf530-e3	Transistor 14a, 100V, 0.16ohm, n-Kanal, SI, Mäerchen, Mosfet, Todbet, Rehatt, Zu-220, 3 PIN, Fet General Zwecker Kraaft	Vishay Siliconix
Irf530fx	Kraaftbeldscht Feld-Effekt Iwwersetzer, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Kanal, Silicon, Metall-oxide semiconduktor Fet, bis 220ab	Vishay Intertchnologies
Irf530fxpbf	Kraaftbeldscht Feld-Effekt Iwwersetzer, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Kanal, Silicon, Metall-oxide semiconduktor Fet, bis 220ab	Vishay Intertchnologies
Sihf530	Transistor 14a, 100V, 0.16ohm, n-Kanal, SI, Mäerchen, Mosfet, bis 220, op 220, 3 PIN, Fet General Zwecker Kraaft	Vishay Siliconix
Irf530fp	10a, 600v, 0.16ohm, N-Kanal, SI, Mäerchen, Mosfet, bis 220fp, 3 PIN	Stemmonnektronik

Irf530 Evaluatioun Circuit Examen

Onklappt indubentiv Last

Wiessel Zäit mat resistive Last

Gate charge Bewäertung

Uwendungen

Power Versuergungssystemer

D'IRF530 Ausradäll an Ëmwelt mat beméien eis eenzeg Fuerderungen, et ausserdeem aussergewéinlech fir onbestelleg Stätscher (UPS).Seng Fäegkeet an der Manifest Wiessel Aktiounen verbesseren déi zwee Effizienz an Zouverlässegkeet verbesseren.A aktuellen Szenarien, déi d'Kapité d'Kapitraë bei engem Mosfetableë maachen, fir Muecht Ënnerbriechungen ze vermeiden an d'Stabilitéit wärend onerwaarden Outages, en Aspekt ze schätzen. En Aspektéieren.

Actuation Mechanismen

An der Solenoid an de Relais Uwendungen, den IRF530 ass ganz gënschteg.Hinnen anereisst Retzgone spuenesch Spueneschen a flëssege Regelméissegen Ofschwierklech, éischter Ausgrenzung fir industriellant Personnalisatioun.Dir kënnt a mechanescher Aktualiséierung qualifizéiert an d'Qualitéiten, déi Maschinnen d'Verantwortung bemierken an operationell Liewensdauer klappen.

Spannung Reguléierung an Konversioun Technologien

Den IRF530 ass eng formidéierbar Komponent fir Spannregreguléierung a béid DC-DC an DC-Tversiounen.Et ass wichteg, d'Gespréichheetsscheffizitéit interesséiert, besonnesch op erneierbar Energiespolitik bei der Effizzieller kënnen iwwerall Maklapp leien.Dir kënnt oft an d'Subtilitéiten vun de Voltage Modulatioun graven fir d'Konversioun Effektivitéit a Fotter Systemhilitéit ze verbesseren.

Motor Kontroll Uwendungen

Bannen an der Motor Kontroll Applikatiounen, den IRF530 ass Reaktioun.Seng Gamme Spanner aus elektresche Gefierer fir Roboter ze fabrizéieren, erliichteren präzis Vitodizéierung andrëppend Management.Dir kënnt dacks dës Komponent ofgebaut, lieft seng séier Schalterbunnen op Bolster Performance wärend Energie konservéiert.

Audio Amplikatioun an Automotive Elektronik

An Audio Systemer, den IRF530 miniméiert d'Verzerrung a verwiesselt Thermal Output, garantéiert Toun Signaler souwéi seelen a verstoppbar.An automotivsten Elektoronike, etand, an der Brennstandannieffer, déi menken, huet Airbag Ofkord.Dir kënnt dës Uwendungen referenzéieren, datt d'Gefierer béid méi sécher a méi reaktiounsfäeger sinn.

Batterie Management an erneierbar Energie Systemer

Den IRF530 beweist an der Batterie Ladung a Gestioun, underpining effizient Energie Allokatioun an der Lycels.Mat der Sonn Zalkraaft Installatiounen trennt se Schräinungsgeschwillen a maximiméiert Energiefäegkeeten, reservéiert mat exzelléierten Ëmfrieche vun Auskriminatioun zum Ophemjizinesteren.An der Energieooggestioun kënnt Dir iwwer dës Pleimieure kräftegen, fir d'Batterarity Wuesse Logine ze optimatioun.

Verpackung Abléck vum IRF530

IRF530 Package Design

Mechanesch Spezifikatioune vum IRF530

Hiersteller

D'Stronnellectronics ass e Leader am Semikalofhaftepurt, schaarf seng déif erwächt Wëssen vun der Silicon Technologie an fortgeschratt Systemer.Dës Expertise, kombinéiert mat enger wesentlecher Bank vun intellektueller Immobilie, propper Innovatiounen am System-on-Chip (Soc) Technologie.Als Schlëssel Entitéit bannent dee jee fir Domain vun der Microlerektronickalickizeklichten, d'Firma wierkt als Katalysator fir béid Transformatioun a Fortschrëtter a Fortschrëtter.

Mat Kapitaliséiere op säi extensiven Portfolio, Stemmolronesch beweist konsequent an en neit Domaine vum Chilaire Design tëscht Méiglechkeet tëscht Méiglechkeet a Realitéit.D'Firma huet Ongwerdhunze op Fuerschung an Entwécklungsbëlleg an Entwécklungsbëlleg an ënner komplexsléch Vertrauen an stressen, effustriert.Dës Léisunge sënne verschidde Industrie, inklusiv Autometiv an Telekmommisikien.

D'Firma weist e strategesche Fokus op Craktingistesistresultéischten, déi eng streikeg Bewosstsinn an den Déierenhafter zéien.Hir recht aner Bezeechnung an Innovatioun an Engagement fir Nowerdoritéit ze fannen déi Ausgabstänn fënnt déi op nei Léisungen.Dës den Efforte sinn nëmme méi Energie effungsmëttel fir d'Technologien ze kënzen, betraff de Wäert vun der Adaptesscommeter matt insaktionalitéit.

Datatheet PDF

Irf530 DataDheets:

Irf530.pdf

Irf530pbf DataDheets:

Irf530.pdf