Ëmfaassend Guide fir an Iwwerweisung ze hfen

Transisteren ginn reuruellen Komponenten an modernen elektronesch Geräter, déi signaliséierend Ofkierzung a Kontroll kréien.Dësen Artikel grees d'Liewe ronderëm d'Wuesstuerm un, ob Dir HF Hormé sréit, wéi Dir Hafen fonnt hutt, an d'Gewéiner Zorte vu Transiste.Duerch eis Explration vun HFFE, mir gewannen e méi staarke Verständnis wéi Iwwergangs an hir Roll an elektronesch Circuiten.

Transfereren sin erwuillen bei modernen elektronesche Apparater, um Server en SDCHplatdhnung ofsetzen.Dësen Artikel vergläicht d'Wëssen ronderëm HWE, ob Dir e klapp hendhëlt, wéi Dir et fonnt hutt an d'gewräizen verschidden Zorte vu Transister.Duerch eis Explration vun HFFE, mir gewannen e méi staarke Verständnis wéi Iwwergangs an hir Roll an elektronesch Circuiten.

An enger gemeinsamer Emitter Konfiguratioun, de Forward aktuelle Gewënn vun engem bipolar Junctor Transistor (BJT) ass bekannt als HFE.Dës Dimensionloscht Indexmoler huet en Transistor seng Fäegkeet aktuell ze verstoen.

Hei maache speziell, hien ass de Verhältnis vum Aventdo vun der AventRIEL ODER seng Basisproph ins.Zum Beispill, wann en 3 hofzeg ass, dat heescht fir all 1Ma d'Rees am Bassorall ze erhéijen, wäert de Secherrainent vum 100MA ugewise ginn.

Dës charakteristesch mécht e Schlësselparameter am Design vun de CJT Circuiten.Am Sënn ass et wichteg ze soen dass och Transfquetten vum Deel vun de selwechte Modi konsérrëche sinn!Dofir, Circurient Designen sollten net eleng op präzis HFT Wäerter fir déi richteg Operatioun vertrauen.

Fir den DC Gewënn ze verstoen, och bekannt als Beta (β) oder Hett, vun engem bopolar Junschzuchtransistor (BJT), mir sinn op seng Mätscher.Hfen ass de Verhältnis vum DC Sammler aktuell (IC) an den DC Basis aktuelle (IB), ausgedréckt vun der einfacher Formel HFT = IC / IB.

Typesch, Dir géift dës Schrëtt folgen:

1. Preparéiert de Circuit

RISCHT FIR muss Dir e Crecice buols kann op der Basis vun der Flobal speklannen kann a gläichzäiteg moossen deen déi am Quolori leeft.Dëst verbënnt normalerweis e bekannte Resistent an d'Basis ze konnektéieren an eng präzis Volt ze bewerben.Dëse Schrëtt ass dem Experiment deen mer metektiv Operatioun erfuerderen fir d'Genauegkeet vu pafolgende Miessunge ze garantéieren.

2. Mooss Basis aktuell (ib)

D'Basis aktuell ass berechent duerch d'Sproochen erof an de Resistent, verbonne mat der Basis.Mat Hëllef vum Ohm säi Gesetz (V = ir), kënne mir den aktuellen Floss duerch d'Basis mat dem bekannte Widderhuelung vun der ganzer Resisor a Spannung erofhuelen.Dëse Formifur verlaangt engschëlwer Ofstaz mat engem Feeler, well all Feeler beim Enkäschte kritt huet mat de leschten aktuellen gewiescht Gewënn.

3. moossen Sammler aktuell (ic)

Ähnlech wéi déi Basis aktuell ze moossen, moossen de Sammler, implizéiert de Sproochen op engem bekanntste Versuergung am Sammler am Sammler.Den Domm ass erëm uwenden, kënne mir de Betrag vum aktuelle fléissend duerch de Sammler erausginn.Dëse Schrëtt erfuerdert dee selwechte Niveau vun der Opmierksamkeet a Präzisioun wéi déi virdru.

4. Rechent den HFE Wäert

Mat de gemoossene Wäerter vun der Basis aktuelle a Sammler-aktuelle, deelt de Sammler-aktuelle vun der Basis aktueller Erléiser an den HFP.Dës Rëtsch beweist den Transistor seng Fäegkeet fir aktuell ënner DC Konditiounen ze beroden.

Considératiounen

Et ass wichteg ze bemierken datt hien kee fixe Wäert ass.Um Präis kann den speziellen Iwwerweisdéierunge gestallt, déi den Ënnerkonten oder d'Ëmweltemperaturen gëtt, a Flucidoratiounen am Sammoftraum.Dofir ass et rewäerteg Design ze hëllefen üken, wann et onendlech hongeril fält fir onbestänneg Circuit z'ënnerstëtzen.

D'Kont vu Columarviewer Transunge (BJT) ass e kriteschen, déi et fir hir Fäegkeet fir aktuellutwendeg fir en aktuellen Diffulaire ze beruff [Uwendung.Hei sinn e puer Aspekter vun der Wichtegkeet vun HFP Wäerter:

Amplifikatioun: Den HFT Wäert beaflosst direkt den Transistorizationsfäegkeet.A ville Circuit Designen, Iwwersetzer gi benotzt fir schwaach Signaler ze berouegen, mat der Gréisst vun HFFE VERSTÄNNEREN D 'HAPPLATIDATIONS.

Binding: Wann d'Pultori stellt, ginn ech hiren Operatiounsstaat, den HFF-Wäert gëtt benotzt fir d'Akt Mainstruktiounen ze verbesseren

Erzéiendten Design: am Publiccuit Prozess, besonnesch am Configuratiounen mat gemeinsamen Eenzelverletzungen, déi vum Hafenden ass.

Well Uwendungen: op den digital CURCITIN an d'Bäitner gewiesselt wéi d'Schluechte gëtt, an den Iwwergangspriechend ersat ginn, wat d'Iwwernaftung ass.

Si ginn awer op Varique am Ehols Prozess, awer Transentateren vum selwechte Mods méi Wäerter Wäerter, an dës Wäerter kënnen op Temperaturen änneren an d'Temperaturen net änneren.Dofir, Ingenieuren normalerweis net op engem fixen HFE Wäert net vertrauen fir richteg Circuit Operatioun ze garantéieren.Amplaz geséien se, datt se sécher datt de Courcumen an den Method unhuelen déi hëlleflos ass, wou kierperlech averkleeft Creust an erëm Erëmbelkuristen ze erreechen.

Typesch Niddregerwäert vun engem spezifesche Transistor fannt Dir iwwer Transstorrddiaget, wéi dës uerdentlech Paramettere vun der Iwwersetzer.Dëst paréiert malt Kraaft D'Iwwersetzer kënne sech dezenten Informatioun, déi aktuell Spannung, an den Hfläch vun interesséieren.

Wéi och ëmmer, et ass derwäert ze notéieren datt den HFE Wäert an Datewunnets normalerweis als méigleche Beräich ginn anstatt eng präzis Zuel.Den Zoustand hannert der all eenzel Ënnerschexen am einfacheeder vum Hierffuel fir datt och iwwerdroee sech genee duerch de selwechte Modeller ze hunn.Zousätzlech ass d'Hrauch-d'Hold-Formalore ënnert dem Haltoral, ënner verschiddentend Aferéiere Bedéngungen (sou wéi Ännerunge vun der Tematioun am Sammeliumsrahmen).

Wann Dir de genauen HFT Wäert vun engem spezifeschen Transistéiere wëllt wëssen, musst Dir et selwer moossen.Dëse Prozess ëmfaasst op e bekannte Stroum an der Iwwerweisung vum Transistor anduerch de resultéierend de resultanten Sammler aktuelle Miessung.Baséiert op dësen zwee Wäerter, kënnt Dir den HFE Wäert auszerechnen.Fir dëse Prozess ze vereinfachen, gëtt et spezialiséiert Instrumenter verkaaft fir d'Transistor HFE ze moossen.

Iwwerdeems ass déi wäertvoll Referenz eng wäertvoll Referenz op e spezifesche HFE Wäert vertrauen, ass net eng gutt Strategie wann d'Circuits designt.Déi nei Helent Wäert vun engem Iwwerpréiwung kann esouwidder weittendéiert, och zënter Circuit, wann de wichtegt Wäerter betrëfft.Dës Approche hëlleft méi rofusen an zouyen elektronesch Design, enléinen Motivatiounen ze kreéieren.

A Elektronik schwätze mir dacks iwwer "Gewënn", wat e Standard ass fir den Ënnerscheed tëscht Output an Input.Fir Iwwersetzer, Dësen Ënnerscheele vu verschiddenene Bestieche vu Gewanungsgeschicht uriffen op de spezielle Konfarktioun an Parameter vum Transister.

Zwou Forme vun aktuelle Gewënn

Beta (β) oder Hef:

Wa mir iwwer d'Beta schwätzen (Β) oder hfe vun engem bipolar Junctor Transistor (BJT), mir bezeechnen an der aktueller Emter-Emitter Konfiguratioun.Stellt Iech vir de DC DOC ze moossen duerch den Trüller vum Transistor (ic) an huet et an den DC an den DC huet an d'Basis aginn (IB).Den βoT ass dann vum Resultat vun dësem Verréint, Afgellen, wat den Umeldungshalt dat am Euro verbessert.NPN Iwwersetzer benotze β, wärend PNP Transistoren benotze β '.

hie:

Ähnlech mam HFE, hf Fokusséiert op kleng-Signal-aktuelle Gewënn awer dës Zäit ënner Acconditioune, sollten ech ënner dauerhafte Stréimunge sinn.Et huet normalerweis mat enger spezifescher Frequenz gemooss, weist wéi den Transistor Handler séier Signaler verännert.

Aner wichteg Aarte vu Gewënn

Alpha (α):

Alpha Gewënn ass an enger gemeinsamer Basis Konfiguratioun observéiert, vergläicht den DC Sammler aktuell (IC) an den DC EMITTER aktuell (dh).Zwëschent Transstruktoren hunn en α el de Wäert ganz no op 1, dat, dat, dat aktuellt bal komplett iwwerdroe vun den Emitter zum Sammler zum Sammler.

Voltage Gewënn (AV):

Nächst, Spannungsplang (Av) Fokusséiert op der Verhältnis vun der Ausgab Spannung fir den Input Spannung.Verständnisniveau Verhandlunge ass de Kot vum Verännerung vun der Verpflichtungskrioritéit, well et seet eis wéi oft de Verpflicht vum Verpflichtigier.

Power Gewënn (AP):

Schlussendlech, Kraaft Gewënn (AP) ass extrem wichteg an de Power Uwendungen, moossen d'Verhältnis vu Ausgangsmuecht fir Input.Dëse Parameter ass besonnesch zoutreffend fir d'Bewäertung vu Circuiten wéi Kraaftverplaifiers ze bewäerten.

Den HFE Wäert vun engem Transistator, och bekannt als β, ass e Schlësselindikator fir seng Kapazitéit als Verstouss.Einfach gesat, et seet eis wéivill Mol den Transistor d'Basis aktuelle (IB) fir e méi grousse Sammlerinstruktioun ze bilden (ic).Dëse Prozess ka vun enger einfacher Equatioun beschriwwe ginn: ic = hf * ib = β * Ib.

Stellt Iech vir, wann Dir 1ma (Milliamperre) vun enger Band op en héijer Konventor erhéicht ginn (morign och awer extensiv gëtt.Dës Erhéijung ass net nëmmen d'Roll vum Transistor als aktuellen Verpflichtvertier ze reflektéiert, awer weist och kleng Ännerungen an der bedeitend Ausgaben transforméieren.

Although we typically consider the hFE value of a transistor to be within a certain fixed range, such as 10 to 500, in reality, this value is affected by factors such as changes in temperature and voltage fluctuations.Dofir, och fir Iwwergangstaat vum selwechte Modellere, HFES Wäerter kënnen ënnerscheeden.

Déi neisten Method fir e spezifeschen Transistor vum HFTE Wäert ze bestëmmen ass den Hiersteller Dataster ze konsultéieren.Wéi och ëmmer, Dateifleesch ginn normalerweis eng Rei fir den HFE Wäert anstatt eng spezifesch Zuel.Dat reflektéiert der Tatsaach, trotz der Präzisiounszechnik mat identeschem Hiweiser fir all Iwwerweisungen.Also gëtt Hiersteller eng Rei méigleche HFT Wäerter ubidden.

Gëllt mat herremerzénger Variabilitéit vun der HECHT, ignoréiert e stabilen a prégeschriwwenen Transistor Circuit gëtt entscheedend.Dëst bedeit datt d'Designer musse Kont fir méiglech Schwankunge am Haff, garantéiert, de Circujet ka gewësse Leeschtung och wann HFT Wäerter erhalen.Dës Designstrategie hëlleft d'Ongeraktissibilitéit vun de Polizizorm ze iwwerhuelen, fir de zouverlännegen Operatioun vun Circouruitéieren.

• - Definitioun: Gemeinsam-emitterer Amplifikatiounsfaktor, representéieren de Verhältnis vum Transistor Collector aktuell op Basis aktuelle (HFE = IC / IB / IB)
• - typesch Gamme: gëllt fir 10 bis 500 Mol, mat de meeschte Wäerter bei 100
• - Variabilitéit: Et kann bedeitend Differenzen tëscht Transistoren vun der selwechter Aart sinn
• - Temperaturstabilitéit: betraff vun der Temperaturen, hfs erof mat steigender Temperatur erof
• - aktuell Stabilitéit: erlaabt Sammler aktuell ze variéieren ouni vill mat Sammlerinstalléieren
• - Gewënnfehler: Fir bipolar Transistor Gewënn, Ofwänn a Ofsaz si wichteg fir Gerät Leeschtung
• - Ëmweltstabilitéit: Fir eng grouss Zuel vun Transistors benotzt, wou Transistator HFFE e bedeitende Effekt hunn
• - Natierlech Atenuatioun: A klengen aktuellen Amplacitudes, natierlech Intentatioun féiert zu enger Oflehnung am HFE Wäert fir konsequent Leeschtung ze garantéieren
• Zu Ufroéierbunns-Propuitatioun: wäit benotzt benotzt an der Crecuit Design, zum Beispill fir StressLLEEL ALTER ENTERATE Kiirmespauste

Wéi mir méi déif sinn a wéi Transistrater aktuell handhänken, sief hir Leeschtung iwwer verschidden Operatiounsregiounen.All Regel wat e spezielle Modifikatioun fir den Iwwersetzer representéiert, an an dëse Modus, dat aktuelle Gewinn - den aktuell Gewalt-Variatioun, déi d'Fäegkeet Etude verstoppt ginn.Loosst eis e Koup bei dëse funktionnéieren.

1. Aktiv Regioun (linear Regioun)

Dëst ass wou d'Magie vum Transistor als Verpflichtung geschitt.An dëser Regioun z'erhalen vum Transister an Eenzelgeraend weist no viraus, berufflech op eng Manéier opmierksam oder aktuell fir nohalteg ze goen.Groussard Concert ass d'Risermeeschter vum Secteur en ëmgebauten Bioplee fir eng aner Dier fest zougemaach, déi am Heftegkeet stat, war als falschste Richtung flloën Kloen ze fléien.An dësem Setup, aktuell ka vum Sammler zum Emtimeter fléien, mam aktuellen Gewënn (HFT oder β) Spillt eng verpréchlech Roll hei, fir de Grad vun der Signal Rapporthification.

2. Sättigung Regioun

D'Triwer vun der Saturinatioun ass de Staat wou den Iwwerbegrëff ganz operations ass, mat béide Bear-un-Emitter a Basisor-Middleteschbindunge ginn duerno opStellt Iech als e voll oppene Waasserpaart, erlaabt Waasser (aktuell) fräi ze fléien.Wéi och ëmmer, den aktaitéierend éischt d'Applif zurraff och hirféinlech ze kommen, och wann d'Basis vum just oplucen erhéicht, wilden d'aktuell aktuell ze erhéijen.Dëst ass de sougenannten Sätttenganstand-den Transistor Acteren wéi e zouene Schalter deen net méi opmaache kann.

3. Ausschnëtt Regioun

Schlidert war de geschnidden. Ass de Modus um Transistorg als den Transistorg als wéinstnhalt duerch duerchgefouert.Hei, souwuel d'Basis-To-Emitter a Base-zu-Collector Connections sinn ëmgedréit geprägt, wéi zwou Dieren, déi festhalen, all aktuelle Flow stoppen.An dësem Kraaft, well d'Aus aktuell ass, d'Nullinformance aktuell ass verleiert ginn, mécht den aktuelle Gewalt detouverslender Null.

Wéi d'Temperatur hält HFF

Wann Dir e Transester otoréiert gëtt, fannt Dir deen Hefiz, oder säin aktuelle Gewinn / Haftungs-Systemung, verännert sech mat der Ëmgéigend Temperaturperitance.Allgemeng, well d'Temperatur erop geet, huet hien erofgaang.Dëst bedeit datt wann Dir Transfere an der Ëmwelt mat bedeckterem Temperatur Schwirungen benotzt, ass besonnesch Opmierksamkeet.D'Tememperropeuren kënnen op méi laang Leeschtung a seng Stabilitéit vu Referenzheet féieren, déi Äre CURKKA a Finale Uwendung betrëfft.

Den Impakt vu Sammlerinformatiounen am HFFE

An der Praxis, en Transistor säi HFFT ass kee feste Wäert.Et gëtt graduell erofgaang wéi de Sammler-Stroum (IC) eropgeet.Dëst bedeit datt d'Variabilitéit vun HWECILLILLIKILLICUKuléiert ass, ass entscheedend Designen, wou Sammler aktuelle ka variéieren.Et gëtt direkt zu enger Visontator Leeschtung vum Cecuit, dee vun der Verännerunge vun der Regierung beaflosse ka ginn 2011

Alterung, Degradatioun, an hir Effekter op HFF

Iwwert d'Zäit, Alterung an Degradatiounseffekter an der Benotzung vun Transistoren kënnen zu Verännerungen zu Hef féieren.Dës Redéiere kënnen vu verschiddene Facteuren duerchgréissen, inklusiv fräifristeg Notzt, edsänneg Ëmweltbesetzungen, oder elektresch Strat.Fir Applen, wou d'Performance Stabilitéitsstabilitéit ufäntend onversécherung ass, a behalen de laangfristegen Stabilitéit vun Transistrater ARF besonnesch wichteg.D'Grondreegung vun HFFE HUNN HUN EEN KRËSCHT NEWFREIWEN Normal Operatioun vum Circuit z'erhalen.

An der Representatioun vum Transistor aktuelle Gewënn, Multiple Symboler gi benotzt, all reflektéiert en aneren Aspekt vum aktuelle Gewënn:

Beta (°:: Beta (~) ass déi konventionell Symbol fir den ufankert den aktuarsate Enn agefouert.

Hien: hien ass eng spezifesch Notifikatioun fir den Transistor aktuellen an enger gemeinsamer Emitterer ze beschreiwen, wou "Bitt op de Parametit vun engem" E "E" ET "Signalisatiounsarchératioun hutt Dir fir en ale-signalen Ofstand fir gemeinsamt ugewandtKonfiguratioun.Hien ass wesentlech gläichwäerteg zum klengen Signal Beta Victoire a gesi gemeinsam an Transistor-Datiketten a Quiit Design Berechnungen.

Wéi et gehéiert, entdeckt, an Beta sinn all méi al gebäerten, an hei méi heefegriwwe sinn.Awer wéinst grousser Ënnerscheeder ausbemeie kengen Ënnerscheeder vun der verschiddener Uklooren hunn dës Donöen vun de Säiten, déi dacks wëllen en integréierene Bedeitung.An der, "fir den Design deem seng Iwwerlee Courpuit, wann fir kleng Sendplacien oder DC◦ gointworkitéit vun de Wënschen Gewënn ugepasst.

Mee wa si an d'Betrib aktuell Mesliume fir Transistesch Terrain si, si si ewéi ënner der Reieen, an den NS-VSPEN. Aner Centrungen.Dës Ënnerscheeder ze verstoen ass premuuellen datt effikass effektiv ugesinn an analyséiert Transistor Circuits.

Dësen Artikel bitt eng In-Déift kuckt op der aktueller Gewënn (HFFE) vu bipolar Junctors Transistors (BJTS), e Schlëssel metresche benotzt fir en Transistor d'Fäegkeet ze moossen.HFE ass eng Moossnam vum Verhältnis vu Basis a Sammlerbetrenter an ass kritesch fir den Design vun der Circuits integréiert BJTS.Wärend den HFE Wäert vun engem Transistator kann aus dem Hiersteller säin Data deen net empfall, datt an der PraxisCR-Vertpripungen, Tech'e sinn, a während der Praxisatioune kréien.Amplaz vun hinnen selwer géigesäitegem Wäerter ze këmmeren, profitionnellen Designdeeg iwwer d'Rei vun de méiglech Variitéit zur Präisser an d'Ressitéit ze betruechten.Zousätzlech kënnen den Artikel net des Détréieren an verschiddeneousistente Bedierfazen duerch aner aktuell wéi deenen Dräichtler duerch d'Ënnerschrëftaarfristeg a Betrib am aktuelle Kaferspriattleiere ubidden.

1.Wat ass den aktuellen Gewënn vun engem Transistator?

De Verzeechnes vum Sammler, deen am Stroum am Stroum, gouf den aktuellen Gewënn als 000dc geäntwert oder HSS, fir eng niddereg-Kraaft Transistrater, dëst ass normalerweis 100 bis 300.

2.Wéi testt Dir ob den Transistor schlecht oder gutt ass?

Verbindt déi negativ Sicht vum Multimeter un der Basis Output (normalerweis e schwaarze Soc an der positiver (rout (rout) fir de Sammler an dann an den Emterm.E Wäert an der Gamme vun ~ 500 -1500 ze kréien, bestätegt déi richteg Operatioun vum Transistor.

3. Wéi moosst Dir en Transistator mat engem Multimeter?

Verbindt déi negativ Sicht vum Multimeter un der Basis Output (normalerweis e schwaarze Soc an der positiver (rout (rout) fir de Sammler an dann an den Emterm.E Wäert an der Gamme vun ~ 500 -1500 ze kréien, bestätegt déi richteg Operatioun vum Transistor.