op 2024/11/5 81

Alles iwwer den 1n5822 SHOTTKY DIOD

Den 1.N5822 SHOTTKY DIDE ass e villsäitegen an héicheffizient Komponente unerkannt fir seng aussergewéinlech séier no vir Spannung.Dës Feature ass besonnesch wäertvoll am Uwendungen, déi schneiden an Energieeffizizienzbienzheeten, sou datt a Kraafteberechter Eenheeten, ernimmtem Energie Systemer, an portbar Effortsystemer, andorbar Efforts.Wéi d'Moodurantsconse sech bewierkt datt Ofstännege Kritikverloscht geralt an verbessert Grondfabilitéit gëtt, ass e gewimmt Éif vum Indizmin ze verbesseren.Da inementstortent mer, hu mir d'Schlësselproochäscht Schlësselore vun der Virdeeler a vun eplanten elektronescheen Charakterbesëtzer an Energieaktivitéite ënnerstëtzen.

Calalog

1n5822 Iwwersiicht

The 1n58222 ass e Schottky JOODED JOOPNEDED, FUNNELLELLEFUELT, et ass den aussergewéinleche Sprossultat ze maachen, ass et e gënschteg Wiel fir d'Uwendungen ze reduzéieren déi séier aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktuelle aktueller aktueller aktuellDëst bitt e Virdeel am Waly Mechanmalm Modusmothéiken an Héichkopizen DC-Converten, wou Effizienz net ImpaktAn engem Do-201Aad Package opgehuewen, gëtt dësen Diode dacks an enger niddereger Spannung an Héich-Frequenz Operatiounen benotzt, inklusiv wéi niddereg-Voltweheeler, fromme Rendez-vousen, ausspaartHuet seng Fäegkeet iwwer d'Entwécklungsverwaltungsproblemerungsprobunge fir Energieverloscht miniméiert, entlooss d'Effizienz vun der Effizienz vun der Effekt op.

In practical applications, the 1N5822's design excels in its ability to manage thermal dissipation, which is often a challenge in compact systems that demand high efficiency.Dëse Bau erlaabt et ofhängeg vun der variabele Konditiounen ze funktionnéieren, et eng gewënschte Wiel fir Prototypen ze maachen déi stänneg Leeschtung erfuerdert.Den Diod's Only Forward Spannung ass instrumental an der Verloschter Erhalen, déi meeschtens zur Verfügung fir Energie an der portables elektroneschen Apparater ze halen.

Op eng Moldësch Perspektiv war een 1N5822222222222 SAMEN, dat ass Basis vun der Nuetskomme méiglech.Duerchduechte huet den Diode seng Attributer an de System-Komponente vun der Dioter opginn, kënnen d'Erlaabnes vum Gerät an der Haltbar opmierksam maachen.Dee méi déif an den Design Effizienz kënnen sech weider Strategien entdecken fir dës Komponent Potenzial an de Kraider Uwendungen ze exploitéieren.

Päiz konfiguréieren

Paul Neier	Broessdatsch
Anode	Aktuell erakënnt ëmmer duerch Anode
Kathode	Aktuell zitt ëmmer duerch Kathode

1n5822 CAD Abléck

Symbol

Foussofdrock

3D Visualiséierung

FONTassementer

D'Feature	Broessdatsch
Ganz kleng Empfang Verloschter	Reduzéiert Energieverloscht während der Erlaabnes
Negligible Schalterverloschter	Miniméiert Verloschter wärend der Schalter
Extrem séier Wiessel	Erlaabt séier Iwwergäng
Niddereg Forward Voltage Drop	Liwwert niddereg Kraaftverloscht
Avalanche Fäegkeet spezifizéiert	Mat héije Spannungsbedingungen
Guard Ring fir Iwwerschossschutz	Schützt géint Iwwergewiicht Schued
Héich Forward Féierung Kapazitéit	Handle héich aktuell Ënnerdréckungen
Héich Frequenz Operatioun	Gëeegent fir Héichfrequenz Uwendungen
Lässeg Texter 275 ° C max.10 s, pro jww 22-B106	Garantéiert d'Haltbarkeet an der Solting Prozesser

Technesch Spezifikatioune

Tipps	Paramesnéiergank
Fabréck Leadzäit	6 Wochen
Mont	Duerch Lach
Montéierend Typ	Duerch Lach
Package / Fall	Do-201a, Axial
Zuel vun de Pinnen	2
Gewun Du	4.535924G
Diode Element Material	Silicon
Zuel vun Elementer	1
Verpackungen	Tape & Box (tb)
Jwd-609 Code	EXT EX
Deellizist	Aktiv Säit
Fiichtegkeet Sensibilitéitsniveau (MSL)	1 (onlimitéiert)
Zuel vun den Terminatiounen	2
Eccn Code	Ouer99
Terminal fäerdeg	Matte Zinn (sn) - Aneraled
Max Betrib Temperatur	150 ° C
Min Betrib Temperatur	-65 ° C
Uwendungen	Kraaftbeldscht
Zousätzlech Feature	Gratis Wheeling Diode
Hutt Dir Code	8541.10.00.80
Trimititance	190pf
Voltage - bewäert DC	404.
Terminal Form	Dréckt
Aktiell Bewäertung	3A
Basebala Deel Zuel	1n58
Pin Ziel	2
Polaratial	Ufank
Elementskonfiguratioun	Single
Bescheed	Séier Erhuelung =< 500ns, > 200ma (io)
Diode Typ	Schaarf
Aktuell - ëmgedréint Leckage @ VR	2ma @ 40v
Ausgang aktuell	3A
Spannung - Forward (VF) (Max) @ wann	525MV @ 3a
Fallverbindung	Isoléiert
Forward Aktiell	3A
Max ëmgedréint Leckage aktuell	2ma
Betrib Temperatur - Junction	150 ° C max
Max Chirurgium	80a
Forward Volt	525MV
Max Reverse Spannung (DC)	404.
Duerchschnëttlech korrekt aktuell	3A
Zuel vun den Phomes	1
Peak ëmgedréint aktuell	2ma
Max repetitive ëmgedréint Spannung (vrrm)	404.
Peak Net-repetitive Chef aktuell	80a
Max Forward Chirurginhalt (IFSM)	80a
Max Junction Temperatur (TJ)	150 ° C
Héicht	5.3m
Läitheet	9.1m
Breet	5.3m
Erreechen svhc	Keen svhc
Stralung Hardening	Nee
Rohs Status	Rohs3 kompatibel
Stras	Stras

D'Persounxembéide

Deelnummer	Broessdatsch	Hiersteller
SR304HA0 Diode	Rechtschreif Diode	Taiwan semiconductor Hostaccorater Firma limitéiert
Sr304HB0 Diode	Rechtschreif Diode	Taiwan semiconductor Hostaccorater Firma limitéiert
SR340 Diode	Rechtschreif Diode	Changzhou Starsa ​​Elektronik CO LTD
Sr304A0 Diode	3a, 40v, Silicon, Riktifier Diode, Do-201a, Rolls Konform, Plastik Package-2	Taiwan semiconductor Hostaccorater Firma limitéiert
Sr304hx0 Diode	Rechtschreif Diode	Taiwan semiconductor Hostaccorater Firma limitéiert
1n5822_r2_00001	Rechtschreifdier Diode, Schottky, 1 Phas, 1 Element, 3a, 40v (Vrrm), Silicon, do-201	Panjit semiconductionist
1n5822_ay_00001	Rechtschreifdier Diode, Schottky, 1 Phas, 1 Element, 3a, 40v (Vrrm), Silicon, do-201	Panjit semiconductionist
Sr304X0G Diosen	Rechtschreifdier Diode, Schottky, 1 Phas, 1 Element, 3a, 40v (Vrrm), Silicon, dowéinst, gréng, Plastiksparat-2	Taiwan semiconductor Hostaccorater Firma limitéiert
1n5822_ay_10001	Rechtschreifdier Diode, Schottky, 1 Phas, 1 Element, 3a, 40v (Vrrm), Silicon, do-201	Panjit semiconductionist
1n5822-T3	Rechtschreifdier Diode, Schottky, 1 Phas, 1 Element, 3a, 40v (Vrrm), Silicon, Do-201 Plastikspak - 2	Sanglete Mikelektronik (Nanjing) Co Ltd

Wéi sollten den 1n5822 Diode integréieren?

An zäitgenësser Elektronicrahmen, déi 1n582222 Gotty Diode spillt dynamesch Rollen wéinst senger Charakteristike wéi niddereg Forwardsroute an der Drecksakkrate an Tapidbiller an der Drecksake an Energiesprooch.Dës Funktioun hu bedeitend fir d'Uriffungen dorënner entwéckelt, Spannung, Spannung, Spannung duerch Minimum ze minimitéieren.Héich aktueller Dicht mat minimale Energiverloscht ka ganz staarker Circuit Performance beaflossen, proppelen Considératiounen an Design Approche.

Déi niddersichen, déi den Nuetsllustréiert vum 1.582 Duddy d 'Losstglage verschriwwen hunn, dann ofginn seng Effutsmatch a Kuerz- Schold.Schottky Diodee gi favoriséiert fir Input Spannungsniveau ze halen an d'Energieofdréckung iwwer den Diode ze reduzéieren, da fotterhaft méi laang Batterie Liewen an optimal Reschter.FACTRAKING FACTORS LIMAL Gestioun a Laadbedingunge ginn benotzt wann Dir d'Schottky Dioden benotzt.Adäquat Hëtzt Dissipatioun ass managen duerch passend Hëtzt ënnerzegoen oder thermesch Pads.Wielt eng Diodade mat engem aktuelle Botz deen d'Demandë vun der Circuit hëlleft fir eng Circuitdowns a Booszoulsikabilitéit ze vermeiden.Integréiert dës Strategien, déi erhéijen Cirvuit Widderhuelung a verlängerte Komponent Haltbarkeet.

De Maximno vun den 1N5822 freet erweiderlech Creentier Integratioun mat der Präzung.Den Diming d'Diode no bei der Powerversuergung Lessens Linn Verloschter, Erweiderung vun der Circuiteffizizitéit.Konkurréiere Mëllisäncen op Adjing-offingingsbedingsplaspure konfiguréieren kann optimiséieren vun der Ausféierung vun der Ausféierung vun der Vendaler Szenarie.GESTAKTY DOYDES SINN INFORMATIOUN AN KËNNEREN FOTOWN RETRAGENDING A FLOWE SPROBROTEN, sou wéi Schalmodëprodukter (SMPs) an Héichperséinlechkeeten) an héich-Fencing

Uwendung Beräicher fir 1n5822

Niddereg Spannung, Héich-Frequenz Inverters

Zomme Betriebter op niddereg Spannung a héich Frequenz sinn staark ofhängeg vun effizient Komponenten ze reduzéieren fir Muecht Verloschter ze reduzéieren.Den 1.N5822 Diode steet wéinst sengem nidderegen Forward Spannung Drop a séier Erhuelung Funktiounen.Dës Charakteristen sollten staark Energieeffizienz an Zouchegkeet lethlen, méiglechvoll Top-Kontrakter aktualiséiert wou d'Energie eng Prioritéit ass.

Freewheeling Uwendungen

Freewheeling Circuits Zil fir en alternativen aktuelle Wee ze bidden wann den Haaptschalter op ass.Den 14.822 Diode ausserdeem, hëlleft Iech d'Verloschteren an der Stad Spike ze entstanen.Dir kënnt mat den 1.30582 System mat abegraff ginn.

DC / DC Converters

DC / DC Converters gewannen substantiell aus dem 1n582222222's SHAWARDING AUS Muecht Displaischung.Dës Dioda féiert féiert zu méi héijer Effizienz a verbessert Spannreguléierung.Dir kënnt bemierken datt seng Robust Performance hëlleft Hëtztbau ze minimiséieren - eng gebraucht Feature an déi néidegem Packte Circuit Blieder, déi allgemeng an zäitgenësser Elektronisonen hëllefe gëtt.

Signal Detektioun

An der Welt vu Sign ass Drukt op Leedungsleiter wéi den 1N58222222222222222222222222222222222222 Verschrécklëssunge gi mat hirem Detektratberäicher vu schwaache Signative.Dëst verbessert digital Kommunikatioun andeems Dir méi zouverlässeg Signal Empfang hutt, mat fluightuten Stäerkten.

Polarzeeche Schutz Uwendungen

Polity Schutz sécher elektronesche Equipement vum Accident ëmgedréint Poliersverkuen.Den 1.N5822 Diode bitt eng riichtaus a effektiv Léisung, féiert zu enger merkbarer Reduktioun vun der Komponentversécherungsraten.Esou Resultater betounen säi Wäert am Schafe Robust Circucuit Designen.

Rf Uwendungen

Rf Uwendungen erfuerderen reduzéiert Geräischer Interferenz an Erweiderung Signal Kloerheet.Den 1.n5822 Diode ënnerstëtzt dës Ufuerderunge andeems se Signal Verzerrung minimiséieren.Dir kënnt dës Diedelen Är Dipadopyen a Form vum Schiddleritéit auffen astinitivitéitskonside awork wirtschaftlech Atmosphär ze verbesseren, wou allegalvideal Evenementer benotzt ginn.

Follege Réckschwinzen Login ze maachen

Logesch Circuits déi séier Wiessel Komponente profitéiere vun der 1n5822222's Tapid Schalterzäiten.Wann dës Diani, Circourcen méi séier Ännereër kierken, geféierlech an héijer Spitden an Datenaarbechtung.Akloréierler proposéieren dëst 1,2822 proposéieren, kann d'allgemeng Vitlungen an d'Effizienz stellt.

Schaltgeld-Modus Power Reserven

Schalt-Modus-Muecht Liwwerungen (SMPS) erfuerdert héijer Effizienz an Zouverlässegkeet.Den 1.5822 Dioden ginn weltgréisste Päreflovermontéierung wärend der Operatioun déi breet Leeschtung, aktiv fir d'Larfitéit-System ze liwweren.Dir kënnt den Diode als instrumental an erhéijen SMUT Energizienz, seng Effizienz halt komplett Kraaftbewäertungssägefälter.

Package protegéieren

1n5822 Package Outline

1n582222 mechanesch Daten

Ref.	Dialens				Weise gutt
	Millimeter		Zeiteren
	Min.	Max.	Min.	Max.	1. De Lead Duerchmiesser ▲ D ass net kontrolléiert iwwer Zone E. 2. Déi minimum axial Längt an där den Apparat kann mat hiren Leads gebogen a rechte Winkelen plazéiert ginn ass 0,59 "(15 mm)
A K)		9.50		0,374
Elz	25,40		1000
▲ c		5.30		0.209
▲ D		1.30 Auer		0,051
E		1,25		0,049

Fabrikant vun 1n5822

D'Strmonnelektroniker huet sech als féierene Spiller op der globaler Semiconductor Stuf.D'Gesellschaft ass erféiert fir seng aussergewéinlech Fäegkeet fir gespäichert Sammicon a System Léisunge ze maachen.Andeems Dir Dépositiounen am System-op-Chip (Supporter) Technologie verkeef hätt, déi de Bäiteg vu mecht Elektronik benotze kënnen.

Duerch seng Engagement fuerel op Fuerschung an Entwécklung, Vicorroléiere kënnen eist Situatiounen zouenen ass-Entraventionen an eng eenzeg Chip ze integréierens.Dës Dertogi bitt sech nëmmen d'Effizienz a Käschten an aussergewéinlecher Arrahotik, a alaomelen Elektric Respekteren.D'Geck, datt se an dëser Arena weisen, weist hir Engagement fir technesch Grenzen an Erfindung ze drécken.

Datatheet PDF

1n5822: Datasheeter:

1n582x.pdf