Samsung lancéiert 12nm Niveau 32GB DDR5 DRAPT, UPPEN OP 128GB Memory Moduler
Geméiss WCCFTECH, Samsung huet de Start vun der Welt vun der Welt vun der Welt vun der Welt ugekënnegt, déi d'DDR5 DRRAND baséiert op 12nm Prozess Technologie ass, déi op 128GB Memory Moduler ënnerstëtzt gëtt.
Bis zu enger Menu fuerdert Erruelung Hierstellere wéi Skenix an de Microb DDRG LDRG LIP, wat e 96Gb Mësstung ass wéinst enger 126% mat enger 12,3% geklommen. Awer Samsung ass eng 1266% mat enger 12,3% geklomm.Zurberg huet de Michont'en de Startview vum 32.GC DDR5 den Alph5 Expert och, awer wéi wäit war just e Plang an der Stad.
Samsung huet den Ufank vun der Massproduktioun vum 12Nm Niveau 16gb DDR5 DRAGRAD an dësem Joer gemaach.Den neien 12.00 32GB DDR5 DRAD huet geplangt fir d'Mass Produktioun um Enn vun dësem Joer unzefänken.
Samsung uginn datt mat engem 12nm Niveau 32GB DRAM, eng Léisung, déi bis zu 1TB vun der Dram Moduler erreeche kënnen, kënnen d'wuessend Ufro fir Héichkapazitéit an der Ära vun der kënschtlecher Intelligenz.
De Samsches huet säin éischte 64 kB Mam 1983 berechn an déi éischt hir din 300 nach 500 erofgaang an der Vergaangenheet Joer.
De Menceung huet läscht Gedächtprodukter mësseestéiere mat Bescheedungsprozesser ze verbesseren an Technologien ze verbesseren fir Integratioun an Design ze verbesseren Anten antest ze verbesseren.Si hunn déi héchst eppes an déi haart plauschesch plakfäegkeet vun 16GB ddR5 dra an déiselwecht Verwaltungsgemaacher.
Virdru, DDR5 128GB DRAM Moduler hiergestallt mat 16GB DRAD DRAD BENOTZT D'Benotzung vu Silicon duerch Lach (Tsv) Technologie.Elo, mam Pamsrig.21.G uméieren, 128G-modi Modulen kënnen produzéiert ginn ouni TSV Technifizéierenduerch un ongeféier 108G-Moduler mat 12% am Verglach zum Muecht verglach mat 16% am Nomëtteg kënnen produzéiert ginn ouni TSV Technifizéierenduerch un ongeféier 108GB Moduler mat 12% am Verglach zum Muecht am Verglach zum 16% am Verglach zum 16% am Muecht am Verglach zum 16% am Nomrauchen, wärend Dir aus TsVB Technologe mat 12% verglach ginnDës technologesch Ausgab mécht dëst Produkt ee vun de beschten Léisunge fir Energieeffizienzbewosstsinn wéi Datenzentren.
Baséiert op den 12.00 32GB DDR5 DRAD, SAMSUNG PLANT FIR AARBEKTIOUN AARBELLT DRINE PLANTULUL fir déi aktuell an zukünfteg Bedierfnesser ze treffen.De Samsung huet seng Leadership Positioun an der nächster Generatiouns Dram Maart geluecht andeems Dir 12NM Niveau 32GB DRAGRAM DRAGD DRADS an Datenzentren, kënschtlech Intelligatiounen, a nächst Generatiounstoffiziktiounen.
Samsung huet den Ufank vun der Massproduktioun vum 12Nm Niveau 16gb DDR5 DRAGRAD an dësem Joer gemaach.Den neien 12.00 32GB DDR5 DRAD huet geplangt fir d'Mass Produktioun um Enn vun dësem Joer unzefänken.
Samsung uginn datt mat engem 12nm Niveau 32GB DRAM, eng Léisung, déi bis zu 1TB vun der Dram Moduler erreeche kënnen, kënnen d'wuessend Ufro fir Héichkapazitéit an der Ära vun der kënschtlecher Intelligenz.
De Samsches huet säin éischte 64 kB Mam 1983 berechn an déi éischt hir din 300 nach 500 erofgaang an der Vergaangenheet Joer.
De Menceung huet läscht Gedächtprodukter mësseestéiere mat Bescheedungsprozesser ze verbesseren an Technologien ze verbesseren fir Integratioun an Design ze verbesseren Anten antest ze verbesseren.Si hunn déi héchst eppes an déi haart plauschesch plakfäegkeet vun 16GB ddR5 dra an déiselwecht Verwaltungsgemaacher.
Virdru, DDR5 128GB DRAM Moduler hiergestallt mat 16GB DRAD DRAD BENOTZT D'Benotzung vu Silicon duerch Lach (Tsv) Technologie.Elo, mam Pamsrig.21.G uméieren, 128G-modi Modulen kënnen produzéiert ginn ouni TSV Technifizéierenduerch un ongeféier 108G-Moduler mat 12% am Verglach zum Muecht verglach mat 16% am Nomëtteg kënnen produzéiert ginn ouni TSV Technifizéierenduerch un ongeféier 108GB Moduler mat 12% am Verglach zum Muecht am Verglach zum 16% am Verglach zum 16% am Muecht am Verglach zum 16% am Nomrauchen, wärend Dir aus TsVB Technologe mat 12% verglach ginnDës technologesch Ausgab mécht dëst Produkt ee vun de beschten Léisunge fir Energieeffizienzbewosstsinn wéi Datenzentren.
Baséiert op den 12.00 32GB DDR5 DRAD, SAMSUNG PLANT FIR AARBEKTIOUN AARBELLT DRINE PLANTULUL fir déi aktuell an zukünfteg Bedierfnesser ze treffen.De Samsung huet seng Leadership Positioun an der nächster Generatiouns Dram Maart geluecht andeems Dir 12NM Niveau 32GB DRAGRAM DRAGD DRADS an Datenzentren, kënschtlech Intelligatiounen, a nächst Generatiounstoffiziktiounen.